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                美光出货全球¤首款232层NAND

                【TechWeb】7月29日消息,美光科技近日宣布已量产全球首款 232 层 NAND。它采用了业界领先的创新技术,从而为存储解决方案带来前」所未有的性能。与前几代 NAND 相比,该产品拥有业界最高的面密度和更高的容量及能效,能为客户端及云←端等数据密集型应用提供卓越支重新又生长出三个蛇头出来持。

                随着全球数据量的增加,客户必须扩大存储容量,提升性能,同时就是共同谋取财富降低能耗,并满足对环境可持续发展更为严于总格的要求。美光 232 层 NAND 技术提供了必要的高性能存储,支持数◥据中心和汽车应用所需的先进解决方案和实时服务,同时还可在移动设备、消费电子产品和 PC 上实现快速响应和沉浸式体验。

                美光还在该技术╱节点上实现了业界最快的 NAND 输入/输出(I/O)速度(每秒2.4GB),以满足低延迟和高吞吐量的需求,适用★于人工智能和机器学习、非结构化地步数据库和实时分析,以及∑云计算等数据密集型工作负载。该 I/O 速度比美光在 176 层节点上所支持△的最高速度还要快50%。

                相比上一代产品,美光 232 层 NAND 的每颗「裸片写入带宽提升至高100%,读取〒带宽提升至少 75%。这些优势这一丝眼神变化孙树凤却没看到提升了 SSD 和嵌入式 NAND 解决按理说安月茹回来就回来方案的性能和能效。

                此外,美光 232 层 NAND 还是全球首款六平面 TLC 量产 NAND。与其他 TLC 闪存相比,该产品在每颗裸片上拥有最多而且也不能随便的平面数量,且每个平面都具有胸口独立的数据读取能力。高 I/O 速〓度和低读写延迟,以及美光的六平面架构,使其可在多种配置中提供一流的数据传输能力。该结构可确保减少写入和读取命令冲突,推动系统级服务质量的提升。

                美光 232 层 NAND 是首款情况支持 NV-LPDDR4 的』量产技术。NV-LPDDR4 是一种低压☉接口,与此前的 I/O 接口相比,每比特传输∮能耗可降低至少 30%。因此,232 层 NAND 解决方案可实现高性能与低功耗平衡,是移动应用以及数据中心和智能边缘【领域部署的理想之选。此外,该接口还可向后兼容,支持传统控制器和系统。

                232 层 NAND 紧凑的外形规格还便于客〓户进行灵活设计,同时大能实现超越历代产品的每平方毫米最高的 TLC 密度(14.6 Gb/mm2)。其面密度比当从他今市场上的 TLC 竞品高 35% 到 100%。它◥还采用全新的 11.5mm x 13.5mm 封装规格,较前几代产品的封装尺寸小 28%,使其成为目前市场上尺寸最小的高密度 NAND。该产品兼具小体积和∴高密度,因此占用更◢小的电路板空间,适用于各类部署。

                据悉美光 232 层 NAND 目前已在其新加坡晶圆厂实现量产,并首先以组件形式通过英睿达(Crucial)SSD 消费类产品线向客户出货。其他多半是交代给自己什么任务产品信息及供货状况将在稍后公布。

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